সাধারণ 200 মিমি সিএমওএস চিপগুলির ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়া।
রাসায়নিক বাষ্প জমা একটি কৌশল যা একটি পাতলা ফিল্ম জমা করার জন্য মাইক্রোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, যা একটি অস্তরক উপাদান বা অর্ধপরিবাহী হতে পারে। দৈহিক বাষ্প জমা প্রযুক্তি জড় গ্যাস ব্যবহার করে স্পুটারিং লক্ষ্যগুলিকে প্রভাবিত করতে এবং ওয়েফারের পৃষ্ঠে পছন্দসই উপাদান জমা করতে। প্রক্রিয়া প্রতিক্রিয়া চেম্বারের অভ্যন্তরে উচ্চ তাপমাত্রা এবং ভ্যাকুয়াম পরিবেশ এই ধাতব পরমাণুগুলিকে শস্য তৈরি করতে পারে, যা পরে প্যাটার্ন করা যেতে পারে এবং পছন্দসই পরিবাহী সার্কিট পেতে পারে।
অপটিক্যাল ডেভেলপমেন্ট হল ফটোমাস্ক থেকে গ্রাফিক্সকে পাতলা ফিল্মে রূপান্তর করার প্রক্রিয়া। অপটিক্যাল ডেভেলপমেন্টে সাধারণত ফোটোরেসিস্ট লেপ, বেকিং, হালকা প্রান্তিককরণ, এক্সপোজার এবং বিকাশের মতো পদক্ষেপ অন্তর্ভুক্ত থাকে। ড্রাই এচিং হল সবচেয়ে বেশি ব্যবহৃত এচিং পদ্ধতি, যা বিক্রিয়া চালানোর জন্য প্রধান এচিং মাধ্যম এবং প্লাজমা হিসেবে গ্যাস ব্যবহার করে। এচিং হল একটি পৃষ্ঠ থেকে একটি অবাঞ্ছিত উপাদান অপসারণ।
রাসায়নিক মেকানিক্যাল পলিশিং (CMP) হল একটি প্রযুক্তি যা যান্ত্রিক পলিশিং এবং অ্যাসিড-বেস সলিউশন ভিত্তিক রাসায়নিক পলিশিং উভয়কে একত্রিত করে, যা ওয়েফার পৃষ্ঠকে তুলনামূলকভাবে সমতল করতে পারে এবং পরবর্তী প্রক্রিয়াগুলিকে সহজতর করতে পারে। নাকালের সময়, গ্রাইন্ডিং স্লারি ওয়েফার এবং গ্রাইন্ডিং প্যাডের মধ্যে থাকে। সিএমপিকে প্রভাবিত করে এমন কারণগুলির মধ্যে রয়েছে গ্রাইন্ডিং হেডের চাপ এবং ওয়েফারের সমতলতা, ঘূর্ণন গতি, গ্রাইন্ডিং স্লারির রাসায়নিক গঠন ইত্যাদি।
